×

Правообладатель РИД: ЛИ Ся (US)

Показаны записи 1-3 из 3.
10.07.2019
№219.017.b195

Способ формирования устройства на магнитных туннельных переходах

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении плотности информации в запоминающем устройстве без увеличения площади схемы каждой из MTJ-ячеек. Способ изготовления устройства на магнитных туннельных переходах, который включает в себя формирование...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002461082
Дата охранного документа: 10.09.2012
29.06.2019
№219.017.9feb

Способ формирования структуры с магнитным туннельным переходом (варианты)

Изобретение может быть использовано при изготовлении постоянных запоминающих энергонезависимых устройств с высокой плотностью и малой мощностью. Способ изготовления устройства с магнитным туннельным переходом включает формирование канавки в подложке; нанесение структуры с магнитным туннельным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002459317
Дата охранного документа: 20.08.2012
10.06.2015
№216.013.543e

Формирование необратимого состояния в одноразрядной ячейке, имеющей первый магнитный туннельный переход и второй магнитный туннельный переход

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении высокоскоростного программирования одноразрядной ячейки. Способ формирования необратимого состояния в одноразрядной ячейке, в котором применяют программирующее напряжение к первому магнитному...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002553087
Дата охранного документа: 10.06.2015
+ добавить свой РИД