Правообладатель РИД: КАНГ Сеунг Х. (US)

Изобретение относится к оперативной памяти. Техническим результатом является управление уровнем сигнала транзистора WL для операций считывания и записи. Раскрыты системы, схемы и способы управления напряжением словарной шины в транзисторе словарной шины в магниторезистивной оперативной памяти с...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в улучшении стабильности записи и уменьшении размеров ячейки битов в STT-MRAM. Магниторезистивное оперативное запоминающее устройство с переносом спинового момента (STT-MRAM), имеющее линии истока, причем каждая...

Изобретение относится к разработке памяти в области магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента. Техническим результатом является уменьшение времени отклика (считывания/записи). Раскрыты системы, схемы и способы для определения напряжений считывания и...

Изобретение относится к области регулирования параметров схемы памяти на основе сопротивления. Техническим результатом является повышение эффективности улучшения границ усилителя считывания. Способ определения набора параметров схемы памяти на основе сопротивления включает в себя выбор первого...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении потребляемой мощности и времени для считывания и записи. Компьютерная система содержит множество функциональных модулей, причем каждый функциональный модуль содержит функциональный блок и блок...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении высокоскоростного программирования одноразрядной ячейки. Способ формирования необратимого состояния в одноразрядной ячейке, в котором применяют программирующее напряжение к первому магнитному...