×

Правообладатель РИД: Егоров Антон Юрьевич

Показаны записи 1-3 из 3.
08.06.2019
№219.017.75c6

Способ изготовления полупроводниковых гетероструктур с атомарно гладкими стоп-слоями ingap и inp на подложках gaas и inp

Изобретение относится к электронной и оптоэлектронной технике и может быть использовано для изготовления монолитных интегральных схем, работающих в сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн, а также для изготовления вертикально-излучающих лазеров ближнего инфракрасного диапазона....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002690859
Дата охранного документа: 06.06.2019
25.08.2017
№217.015.bfba

Способ усиления мощности радиочастотно-модулированного терагерцового излучения 30-периодной слабосвязанной полупроводниковой сверхрешетки gaas/algaas

Изобретение относится к физике полупроводниковых структур. Способ усиления мощности радиочастотно-модулированного терагерцового излучения 30-периодной слабосвязанной полупроводниковой сверхрешетки GaAs/AlGaAs заключается в том, что соединяют параллельно активные модули, каждый из которых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617179
Дата охранного документа: 21.04.2017
20.04.2015
№216.013.42d8

Светодиод белого свечения и светодиодная гетероструктура на основе полупроводниковых твердых растворов gapasn на подложках gap и si

Светодиод белого свечения согласно изобретению содержит слой полупроводника n-типа, сформированный из полупроводникового твердого раствора GaPAsN(0.3>x>0, 0.030>у>0.004), гетероструктуру с собственным типом проводимости, сформированную из слоев полупроводниковых твердых растворов GaPAsN...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002548610
Дата охранного документа: 20.04.2015
+ добавить свой РИД