×

Правообладатель РИД: Буробин Валерий Анатольевич

Показаны записи 1-5 из 5.
09.05.2019
№219.017.4b1d

Способ полирования полупроводниковых материалов

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов для обработки обратной стороны структур с готовыми чипами, а также при изготовлении исходных пластин-подложек кремния, германия и др. Обрабатываемые пластины закрепляют на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002295798
Дата охранного документа: 20.03.2007
10.05.2018
№218.016.43fc

Способ двухсторонней металлизации керамических пластин

Изобретение относится к технологии нанесения металлических покрытий на керамические пластины и может быть использовано в электронной и радиоэлектронной промышленности при производстве металлизированных подложек для электронных и светоизлучающих модулей. Способ двухсторонней металлизации...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002649624
Дата охранного документа: 04.04.2018
20.05.2016
№216.015.402c

Светодиодная лампа

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является возможность формирования различных диаграмм излучения, улучшение оптических характеристик в широком спектральном диапазоне, повышение эффективности теплоотвода, увеличение уровня защиты конструкции от влияния...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002584000
Дата охранного документа: 20.05.2016
10.05.2015
№216.013.4b21

Светодиодная лампа с широкой диаграммой излучения (варианты)

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является улучшение оптических характеристик и повышение эффективности освещения за счет создания оптимальной системы теплоотвода, а также повышения уровня защиты от влияния негативных факторов окружающей среды. Светодиодная...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550740
Дата охранного документа: 10.05.2015
20.04.2015
№216.013.42b8

Способ получения эпитаксиального слоя бинарного полупроводникового материала на монокристаллической подложке посредством металлоорганического химического осаждения из газовой фазы

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3В5 и соединений А2В6 методом химического газофазного осаждения из металлоорганических соединений и гидридов. В способе получения эпитаксиального слоя...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002548578
Дата охранного документа: 20.04.2015
+ добавить свой РИД