Правообладатель РИД: Общество с ограниченной ответственностью "СмС тензотерм Рус"

Изобретение относится к технологии синтеза полупроводниковых материалов и может быть использовано при массовом производстве тензочувствительных материалов на основе сульфида самария (SmS). Для синтеза материала состава SmS, где 0≤x≤0,17, берут в измельченном виде SmS и Sm в мольном соотношении...

Использование: для изготовления датчиков деформации, силы, давления, перемещения, вибрации. Сущность изобретения заключается в том, что тензорезистор включает диэлектрическую подложку с нанесенной тензочувствительной пленкой из SmEuS, где 0,22≤x≤0,5. Технический результат: обеспечение...

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания кислорода. Газовый датчик согласно изобретению содержит диэлектрическую подложку с нанесенным слоем полупроводникового материала толщиной от 0,07 мкм до...

Изобретение относится к области преобразования тепловой энергии в электрическую с помощью полупроводниковых термоэлектрических генераторов. Сущность: термоэлектрический генератор содержит по крайней мере один слой полупроводникового материала SmLnS на основе сульфида самария, легированного...