Правообладатель РИД: Максимов Михаил Викторович

Изобретение относится к созданию способа и устройства, предназначенных для измерения основных параметров синтезированных защитных голограмм, выполненных на основе дифракционных микроструктур, для целей экспертного анализа подлинности и контроля качества изготовления этих голограмм, которые...

Изобретение относится к области формирования микроструктур для использования в различных оптоэлектронных устройствах, а более конкретно к области формирования лазерных микрорезонаторов, обладающих одночастотным спектром излучения. Задачей настоящего изобретения является разработка простого в...

Изобретение относится к полупроводниковым фотопреобразователям, которые преобразуют солнечное излучение в электроэнергию, и может быть использовано в полупроводниковой промышленности для создания систем генерации электрической энергии. Фотопреобразователь с квантовыми точками состоит из...

Изобретение относится к области приборостроения, связанной с производством оптико-электронной аппаратуры. В осветительном блоке устройства коллимированный свет лазерного источника расщепляется в матрицу лучей с помощью дифракционного оптического элемента, матрица лучей затем отклоняется...

Изобретение относится к подъемно-транспортному оборудованию и может быть использовано при производстве работ по подъему и перемещению большегрузных и габаритных изделий. Траверса содержит штангу, на одном конце которой имеется проушина для соединения с механизмом подъема крана, а на втором...

Изобретение относится к ядерной технике, а именно к дистанционирующим устройствам, в которых размещаются отработавшие тепловыделяющие сборки реактора ВВЭР-1000, во время их транспортирования и хранения в контейнерах. Чехол для размещения и хранения отработавших тепловыделяющих сборок содержит...

Полупроводниковая структура для фотопреобразующего и светоизлучающего устройств состоит из полупроводниковой подложки (1) с лицевой поверхностью, разориентированной от плоскости (100) на (0,5-10) градусов и, по меньшей мере, одного р-n перехода (2), включающего, по меньшей мере, один активный...

Способ формирования массивов квантовых точек повышенной плотности для использования в различных оптоэлектронных устройствах. Способ формирования массива квантовых точек высокой плотности включает три этапа. На первом происходит формирование зародышевого ряда квантовых точек в режиме...