Правообладатель РИД: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Инситут физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН)

Изобретение относится к области получения карбида кремния, используемого в полупроводниковой промышленности для радиопоглощающих покрытий, термосопротивлений, диодов, светодиодов, солнечных элементов и силовых вентилей для использования при повышенных температурах. Способ включает перемещение...