Правообладатель РИД: Ишуткин Сергей Владимирович

Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является снижение себестоимости изготовления транзистора на основе полупроводникового соединения за счет перехода на металлизацию, не содержащую драгоценных металлов. Сущность изобретения: в транзисторе на...

Изобретение относится к технологии арсенид-галлиевой микроэлектроники, в частности к методам электрической пассивации поверхности полупроводниковых соединений и твердых растворов групп АB, и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности...

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии получения монолитных интегральных схем (МИС) на основе полупроводниковых соединений AB. Изобретение обеспечивает получение МИС на основе полупроводниковых соединений ABс более низкой себестоимостью изготовления за счет...

Изобретение относится к технологии получения монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединении AB, в частности к созданию сверхвысокочастотных транзисторов, в которых минимизировано содержание драгоценных металлов. Изобретение обеспечивает повышение надежности работы за счет...