×

Правообладатель РИД: Кагадей Валерий Алексеевич

Показаны записи 1-7 из 7.
19.04.2019
№219.017.31e9

Способ изготовления омического контакта к gaas

Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является уменьшение величины приведенного контактного сопротивления. Сущность изобретения: в способе изготовления омического контакта к GaAs на поверхности пластины n-GaAs, имеющей легированный слой, с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002458430
Дата охранного документа: 10.08.2012
19.04.2019
№219.017.31e6

Способ получения тонкопленочного медно-германиевого соединения

Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения тонкопленочных металлических соединений. Техническим результатом изобретения является уменьшение температуры и времени получения тонкопленочного медно-германиевого соединения. Сущность изобретения: способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002458429
Дата охранного документа: 10.08.2012
20.02.2019
№219.016.c3f6

Транзистор на основе полупроводникового соединения

Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является снижение себестоимости изготовления транзистора на основе полупроводникового соединения за счет перехода на металлизацию, не содержащую драгоценных металлов. Сущность изобретения: в транзисторе на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002442243
Дата охранного документа: 10.02.2012
20.02.2019
№219.016.c313

Способ халькогенизации поверхности gaas

Изобретение относится к технологии арсенид галлиевой микроэлектроники и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности полупроводника, так и на границе раздела металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник. Способ включает химическую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002406182
Дата охранного документа: 10.12.2010
20.02.2019
№219.016.c2d7

Способ пассивации поверхности gaas

Изобретение относится к технологии арсенид-галлиевой микроэлектроники, в частности к методам электрической пассивации поверхности полупроводниковых соединений и твердых растворов групп АB, и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002402103
Дата охранного документа: 20.10.2010
13.01.2017
№217.015.7e89

Монолитная интегральная схема на основе полупроводникового соединения

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии получения монолитных интегральных схем (МИС) на основе полупроводниковых соединений AB. Изобретение обеспечивает получение МИС на основе полупроводниковых соединений ABс более низкой себестоимостью изготовления за счет...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601203
Дата охранного документа: 27.10.2016
10.02.2015
№216.013.224d

Сверхвысокочастотный транзистор

Изобретение относится к технологии получения монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединении AB, в частности к созданию сверхвысокочастотных транзисторов, в которых минимизировано содержание драгоценных металлов. Изобретение обеспечивает повышение надежности работы за счет...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540234
Дата охранного документа: 10.02.2015
+ добавить свой РИД