Правообладатель РИД: Герасимов Юрий Михайлович

Изобретение относится к области микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является создание управляемого напряжением блока кольцевых генераторов на комплементарных метал-окисел-полупроводник (КМОП) транзисторах с повышенной радиационной стойкостью при воздействии отдельных ядерных...

Изобретение относится к области микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является создание тестового блока кольцевых генераторов на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах с повышенной универсальностью вследствие возможности тестирования радиационной стойкости...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении устойчивости к одиночным сбоям. Радиационно-стойкое статическое оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах содержит блоки адресных...

Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат заключается в создании радиационно-стойкого элемента памяти для статических оперативных запоминающих устройств на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах с повышенной стойкостью к внешним радиационным...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в создании радиационно-стойкого элемента памяти для статических оперативных запоминающих устройств на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах, выполненных по технологии объемного кремния, с...

Изобретение относится к области микроэлектроники. Техническим результатом заявленного изобретения является создание радиационно-стойкой библиотеки элементов на комплементарных металл-окисел-полупроводник (КМОП) транзисторах с меньшей площадью элементов на кристалле по вертикали пропорционально...

Изобретение относится к области микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является создание радиационно-стойкой библиотеки элементов на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах с меньшей площадью элементов на кристалле и повышенным быстродействием. Библиотека...