Правообладатель РИД: Чепурнов Виктор Иванович

Изобретение относится к полупроводниковым структурам карбида кремния. Карбид кремния: материал для радиоизотопного источника энергии, содержащий в своем составе монокристаллическую фазу полупроводниковой структуры карбида кремния в виде пленки, имеющей n- и р-тип проводимости для разделения...

Изобретение относится к устройству прямого преобразовании энергии радиохимического бета-распада изотопа в разность потенциалов и предназначено для использования в автономных системах как источник постоянного электрического тока. Устройство содержит полупроводниковую структуру планарного или...

Изобретение относится к области микроэлектронной технологии, а именно к способу формирования полупроводниковых структур для преобразования энергии радиохимического распада С-14 в постоянный ток. Техническое решение включает CVD-процесс, в котором формирование пленки карбида кремния осуществляют...

Изобретение относится к области микроэлектронной технологии, а именно к способу получения полупроводниковой гетероструктуры карбида кремния на кремниевой подложке. Формируют слой карбида кремния с помощью атомов кристаллической решетки кремниевой подложки и атомов углерода, при этом...

Изобретение относится к области порошковой металлургии, в частности к изготовлению изделий из порошков твердых сплавов на основе карбидов. Смешивают временное связующее, содержащее двухкомпонентный диспергатор и двухкомпонентную смазочную добавку в весовом соотношении от 1:3,6 до 1:13,1, и...