×

Правообладатель РИД: Нури Марина Александровна

Показаны записи 1-2 из 2.
10.02.2015
№216.013.26eb

Способ изготовления кремниевого p-i-n фотодиода

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых p-i-n фотодиодов (ФД), чувствительных к излучению с длинами волн 0,9-1,06 мкм. Они предназначены для использования в различной электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002541416
Дата охранного документа: 10.02.2015
27.12.2014
№216.013.161f

Способ изготовления кремниевого p-i-n фотодиода

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых p-i-n фотодиодов (ФД), чувствительных к излучению с длинами волн 0,9-1,06 мкм. Согласно изобретению в способе изготовления кремниевых p-i-n фотодиодов для снижения концентрации электрически активных центров, создаваемых загрязняющими...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537087
Дата охранного документа: 27.12.2014
+ добавить свой РИД