×

Правообладатель РИД: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии мироэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (ИПТМ РАН)

Показаны записи 1-1 из 1.
27.11.2014
№216.013.0a88

Способ получения материала для высокотемпературного массочувствительного пьезорезонансного сенсора на основе монокристалла лантангаллиевого танталата алюминия

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов лантангаллиевого танталата алюминия, обладающего пьезоэлектрическим эффектом, используемым для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Способ получения материала для высокотемпературного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534104
Дата охранного документа: 27.11.2014
+ добавить свой РИД