×

Правообладатель РИД: Смирнов Валентин Пантелеймонович

Показаны записи 1-4 из 4.
29.03.2019
№219.016.f47e

Многослойное композиционное покрытие с нанокристаллической структурой на режущем инструменте и способ его получения

Изобретение относится к многослойным покрытиям для режущего инструмента и способам их получения и может быть использовано в машиностроительном производстве. Покрытие содержит адгезионный, переходный и износостойкий слои тугоплавких соединений. При этом адгезионный слой содержит, по крайней...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002413790
Дата охранного документа: 10.03.2011
20.02.2019
№219.016.bfcb

Способ нанесения нанопокрытий и устройство для его осуществления

Изобретение относится к плазменному способу и устройству получения нанопокрытий, в частности пленок из окислов, карбидов и других соединений, и может применяться в радиоэлектронной, авиационной, энергетике и других отраслях промышленности. Изобретение позволит повысить энергию наносимых частиц...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002371379
Дата охранного документа: 27.10.2009
27.08.2016
№216.015.50d5

Радиоизотопный фото-термоэлектрический генератор

Устройство относится к радиоизотопной энергетике и может быть использовано в энергетических установках, предназначенных для длительной автономной работы в труднодоступных и малонаселенных районах Земли, а также в условиях космического пространства. Устройство содержит замкнутый газодинамический...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002595772
Дата охранного документа: 27.08.2016
27.09.2014
№216.012.f943

Способ и устройство для радиационного измерения плотности твердых тел

Изобретение относится к области измерения плотности изделий с использованием рентгеновского излучения. Способ радиационного измерения плотности твердых тел путем облучения контролируемого объекта проводят потоком широкополосного рентгеновского излучения, регистрируется практически все...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002529648
Дата охранного документа: 27.09.2014
+ добавить свой РИД