Правообладатель РИД: Клочков Алексей Николаевич

Изобретение может быть использовано при производстве передающих и приемных антенн для терагерцевого диапазона частот (от 300 ГГц до 5 ТГц). Полупроводниковая структура для фотопроводящих антенн эпитаксиально выращена на подложке GaAs с кристаллографической ориентацией (111)А и состоит из...

Использование: для создания материала фотопроводящих антенн. Сущность изобретения заключается в том, что материал содержит пленку LT-InGaAs, эпитаксиально выращенную при пониженной температуре на подложке InP, отличающийся тем, что используется подложка InP с кристаллографической ориентацией...

Изобретение может быть использовано для создания активного слоя в фотопроводящих антеннах-детекторах и генераторах электромагнитного излучения терагерцевого диапазона. Материал для фотопроводящих антенн согласно изобретению представляет собой пленку GaAs, эпитаксиально выращенную на подложке...

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления монолитных интегральных схем, оперирующих в сантиметровом и миллиметровом диапазоне длин волн. Согласно изобретению предложена полупроводниковая транзисторная гетероструктура на подложке GaAs с...

Использование: для контроля технологии при изготовлении полупроводниковых метаморфных гетероструктур. Сущность изобретения заключается в том, что регистрируют кривые дифракционного отражения в режиме θ/2θ-сканирования от различных кристаллографических плоскостей, измеряют угловое положения...

Изобретение относится к наноразмерным полупроводниковым структурам, содержащим систему квазиодномерных проводящих каналов, используемых для изготовления приборов наноэлектроники и нанофотоники. Техническим результатом является увеличение концентрации электронов в активной области наноструктуры....