Правообладатель РИД: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи (US)

Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего устройства согласно изобретению включает выращивание множества III-нитридных полупроводниковых структур на подложке, причем каждая полупроводниковая структура включает в себя светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и...