×

Правообладатель РИД: Фадеев Алексей Юрьевич

Показаны записи 1-8 из 8.
18.10.2019
№219.017.d802

Устройство для электроискрового легирования

Изобретение относится к области электроискровой обработки и может быть использовано для электроискрового легирования поверхностей токопроводящих материалов, в частности лопаток паровых турбин. Устройство содержит электрод, установленный в полости электрододержателя, имеющего патрубок для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002703216
Дата охранного документа: 15.10.2019
24.05.2019
№219.017.5fef

Оптический датчик дыма

Изобретение относится к средствам обнаружения пожара, а именно к оптическим датчикам дыма с рассеянным оптическим излучением. Технический результат - снижение сигнала фоновой засветки оптического датчика дыма. Датчик дыма содержит измерительную камеру, имеющую крышку, дно с отверстиями для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002379760
Дата охранного документа: 20.01.2010
29.04.2019
№219.017.4544

Способ получения монокристаллического sic

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ получения монокристаллического SiC предусматривает сублимацию источника SiC 9, размещенного в тигле, на подложку из затравочного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002405071
Дата охранного документа: 27.11.2010
25.08.2017
№217.015.d239

Способ получения монокристаллического sic

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ включает размещение в камере роста 1 тигля 6 с источником SiC 12 и закрепленной на крышке 7 тигля...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621767
Дата охранного документа: 07.06.2017
13.01.2017
№217.015.853c

Способ получения монокристаллического sic

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC - широкозонного полупроводникового материала, используемого для создания на его основе интегральных микросхем. Способ включает сублимацию источника SiC 6 на затравочную пластину 5 из монокристаллического SiC, закрепленную на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002603159
Дата охранного документа: 20.11.2016
10.09.2015
№216.013.78af

Способ получения монокристалла sic

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллов SiC - широко распространенного материала, используемого при изготовлении интегральных микросхем. Способ включает сублимацию источника SiC 5, размещенного в тигле, на пластину затравочного монокристалла SiC...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562484
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.09.2015
№216.013.78b1

Способ получения монокристаллического sic

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC - широкозонного полупроводникового материала, используемого для создания на его основе интегральных микросхем. SiC получают сублимацией источника SiC, размещенного в нижней части ростовой ячейки, на затравочную пластину из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562486
Дата охранного документа: 10.09.2015
27.03.2014
№216.012.af11

Датчик дыма

Изобретение относится к области электронной пожарно-охранной сигнализации, а именно к оптическим датчикам дыма. Технический результат заключается в повышении пылезащищенности датчика при минимизации зависимости его чувствительности от направленности дыма. Сущность изобретения заключается в том,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510532
Дата охранного документа: 27.03.2014
+ добавить свой РИД