×

Правообладатель РИД: Тарала Виталий Алексеевич

Показаны записи 1-5 из 5.
02.10.2019
№219.017.ce4a

Способ уменьшения размеров частиц и степени агломерации на стадии синтеза исходных прекурсоров при получении алюмоиттриевого граната

Изобретение относится к технологии получения соединений сложных оксидов со структурой граната, солегированных редкоземельными элементами, которые могут быть применены в технологии синтеза оптических керамических материалов лазерного качества при создании активных тел твердотельных лазеров...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002700074
Дата охранного документа: 12.09.2019
07.09.2019
№219.017.c854

Способ получения малоагломерированных высокостехиометричных наноразмерных порошков прекурсора на основе иттрий-алюминиевого граната с катионами редкоземельных элементов

Изобретение относится к технологии получения соединений сложных оксидов со структурой граната, содержащих редкоземельные элементы, которые могут быть применены в технологии синтеза оптических керамических материалов лазерного качества при создании активных тел твердотельных лазеров различной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002699500
Дата охранного документа: 05.09.2019
17.08.2019
№219.017.c11e

Способ получения мало агломерированного наноразмерного прекурсора для синтеза твердых растворов иттрий-алюминиевого граната с оксидами редкоземельных элементов

Изобретение относится к технологии получения соединений сложных оксидов со структурой граната, содержащих редкоземельные элементы, которые могут быть применены в технологии синтеза оптических керамических материалов лазерного качества при создании активных тел твердотельных лазеров различной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002697562
Дата охранного документа: 15.08.2019
25.06.2018
№218.016.65f5

Способ низкотемпературной плазмоактивированной гетероэпитаксии наноразмерных пленок нитридов металлов третьей группы таблицы д.и. менделеева

Изобретение предназначено для производства гетероэпитаксиальных структур для изготовления светодиодов, фотоприемников, полупроводниковых лазеров, транзисторов и диодов. В основе изобретения лежит метод низкотемпературной плазмоактивированной гетероэпитаксии. В этом способе синтез пленки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002658503
Дата охранного документа: 21.06.2018
20.11.2013
№216.012.8370

Гетероструктуры sic/si и diamond/sic/si, а также способы их синтеза

Изобретение относится к сфере производства гетероэпитаксиальных структур, которые могут быть использованы в технологии изготовления элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур. Гетероэпитаксиальную полупроводниковую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002499324
Дата охранного документа: 20.11.2013
+ добавить свой РИД