Правообладатель РИД: Русак Татьяна Федоровна

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, наноэлектронике и может быть использовано для диагностики строения и состава полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур, включая современные перспективные структуры на широкозонных нитридных материалах (AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN и...

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов для обработки обратной стороны структур с готовыми чипами, а также при изготовлении исходных пластин-подложек кремния, германия и др. Обрабатываемые пластины закрепляют на...

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе диагностики полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур, включающем сканирование образца в условиях брэгговского отражения в пошаговом режиме, производимом путем изменения угла падения рентгеновского...