×

Правообладатель РИД: Кулешов Александр Евгеньевич

Показаны записи 1-5 из 5.
22.06.2019
№219.017.8ea7

Планарный двухспектральный фотоэлектронный умножитель

Изобретение относится к вакуумной фотоэмиссионной электронике и может быть использовано при конструировании приборов и устройств ночного и ультрафиолетового видения. Фотоэлектронный умножитель состоит из фотокатода на основе полупроводниковых, в том числе и наноструктурированных материалов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002692094
Дата охранного документа: 21.06.2019
29.12.2017
№217.015.f04f

Автоэмиссионный сверхвысокочастотный диод и способ его изготовления

Изобретение относится к устройствам вакуумной СВЧ-электроники и может быть использовано в устройствах коммутации тока, в смесителях и в других приборах и устройствах силового сектора СВЧ-электроники. Автоэмиссионный СВЧ-диод содержит вакуумно-плотный корпус из металлокерамики, источник...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629013
Дата охранного документа: 24.08.2017
10.02.2016
№216.014.e818

Гетероструктура для автоэмиттера

Изобретение относится к структурам для автоэмиттеров. Изобретение обеспечивает значительное увеличение рабочих токов автокатода, повышение стойкости устройств к деградации и увеличение их рабочего ресурса. В гетеропереходной структуре на поверхности n-слоя со стороны n-p гетерограницы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575137
Дата охранного документа: 10.02.2016
10.12.2015
№216.013.9599

Фотокатод

Использование конструкции согласно изобретению - это фотокатодные узлы вакуумных высокочувствительных, термо- и радиационно-стойких приемников излучений и приемников изображений для спектрального диапазона 0,19-1,0 мкм. Предложен фотокатод из высокочистого полупроводника, при этом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002569917
Дата охранного документа: 10.12.2015
20.02.2015
№216.013.2a7d

Фотокатод

Изобретение относится к области электронной техники. В фотокатоде, выполненном из высокочистого полупроводника, область, регистрирующая оптическое излучение, выполнена в виде полупроводниковой мембраны с омическим контактом к несущей ее подложке и расположенной над отверстием в ней, на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542334
Дата охранного документа: 20.02.2015
+ добавить свой РИД