Правообладатель РИД: Елисеев Вячеслав Васильевич

Изобретение относится к мощным импульсным полупроводниковым приборам, предназначенным для высоковольтных твердотельных коммутаторов, используемых в ускорительной и лазерной технике, радиолокации, электрооборудовании управляемого термоядерного синтеза, электроразрядных, электромагнитных и...

Изобретение относится к способам получения композиционных материалов для теплоотводящих оснований полупроводниковых приборов, в частности, композиционного материала Al-SiC, имеющего металлическое покрытие, и изделиям, полученным с использованием этих материалов. Способ включает пропитку порошка...