×

Правообладатель РИД: Седнев Михаил Васильевич

Показаны записи 1-10 из 13.
19.10.2019
№219.017.d846

Многоэлементный фотоприемник

Многоэлементный фотоприемник с тонкой фоточувствительной базой, включающий матрицу фоточувствительных элементов из одного из полупроводниковых материалов CdHgTe, InSb, InGaAs, QWIP, соединенную со схемой считывания индиевыми микроконтактами, с антиотражающим покрытием, обеспечивающим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002703497
Дата охранного документа: 17.10.2019
01.06.2019
№219.017.71ca

Способ изготовления многоэлементных матриц фотоприемников

Изобретение относится к технологии изготовления многоэлементных матриц фотоприемников на пластине с тонкими функциональными слоями может использоваться для создания матричных фотоприемников (МФП) различного назначения. В предлагаемом способе изготовления многоэлементных матриц фотоприемников на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002689973
Дата охранного документа: 29.05.2019
20.02.2019
№219.016.c096

Способ сборки фотоприемного устройства

Изобретение относится к технологии сборки фотоприемных устройств ИК-диапазона и кремниевой БИС считывания, где актуальной проблемой является получение надежного гальванического соединения элементов фотоприемной матрицы и матрицы считывания. Сущность изобретения: в способе сборки фотоприемного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002308787
Дата охранного документа: 20.10.2007
31.01.2019
№219.016.b54c

Способ изготовления двухспектрального матричного фотоприемника

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается способа изготовления многоэлементного двухспектрального матричного фотоприемника. Фотоприемник включает в себя корпус с входным окном, матрицу фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с тонким поглощающим слоем из однородного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002678519
Дата охранного документа: 29.01.2019
26.08.2017
№217.015.ec23

Способ изготовления многоэлементного ик фотоприемника

Изобретение относится к способу изготовления многоэлементных или матричных фотоприемников на основе антимонида индия. Многоэлементный фотоприемник на основе антимонида индия включает матрицу фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с антиотражающим покрытием на освещаемой стороне фоточувствительных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002628449
Дата охранного документа: 16.08.2017
26.08.2017
№217.015.e792

Мезаструктурный фотодиод на основе гетероэпитаксиальной структуры ingaas/alinas/inp

Изобретение относится к матричным фотоприемным устройствам (ФПУ) на основе фотодиодов (ФД), изготовленных по мезатехнологии в гетероэпитаксиальных полупроводниковых структурах III-V групп InGaAs/AlInAs/InP, преобразующих излучение в коротковолновой инфракрасной области спектра (0,9-1,7 мкм)....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002627146
Дата охранного документа: 03.08.2017
10.02.2016
№216.014.c453

Способ травления меза-элементов на основе эпитаксиальных p-i-n структур gan/algan

Изобретение относится к технологии фотодиодов на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlGaN, преобразующих излучение ультрафиолетовой области спектра. Изобретение может быть использовано в производстве матричных фоточувствительных элементов приборов гражданского и военного назначения....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574376
Дата охранного документа: 10.02.2016
20.12.2015
№216.013.9b83

Способ изготовления индиевых микроконтактов

Изобретение относится к технологии получения индиевых микроконтактов для соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц, выполненных на основе полупроводниковых материалов. Способ изготовления индиевых микроконтактов согласно изобретению включает напыление слоя индия на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571436
Дата охранного документа: 20.12.2015
20.12.2014
№216.013.124f

Способ изготовления фотоприемников на основе эпитаксиальных p-i-n структур gan/ algan

Изобретение относится к технологии фотодиодов на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlGaN, преобразующих излучение ультрафиолетовой области спектра. Согласно изобретению предложен способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlGaN....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536110
Дата охранного документа: 20.12.2014
10.10.2014
№216.012.fc64

Способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных структур ingaas/inp

Изобретение может быть использовано в системах лазерной локации, обнаружения лазерного излучения, ИК-спектрометрии, многоспектральных ВОЛС, а также нового поколения систем ночного видения. Согласно изобретению изготовление многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных p-i-n-структур...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002530458
Дата охранного документа: 10.10.2014
+ добавить свой РИД