×

Правообладатель РИД: Общество с ограниченной ответственностью "МеГа Эпитех"

Показаны записи 1-2 из 2.
29.12.2017
№217.015.feac

Способ получения полупроводниковых структур методом жидкофазной эпитаксии с высокой однородностью по толщине эпитаксиальных слоев

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам получения методом жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур. При реализации способа используют герметичную ростовую камеру с раствором-расплавом, в которой закрепляют попарно группу подложек. При этом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638575
Дата охранного документа: 14.12.2017
27.07.2013
№216.012.5afa

Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений gaas-gaalas методом жидкостной эпитаксии

Изобретение относится к области силовой микроэлектронной техники, а более конкретно, к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур из соединений AB методами жидкостной эпитаксии. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002488911
Дата охранного документа: 27.07.2013
+ добавить свой РИД