×

Правообладатель РИД: Стрельченко Сергей Станиславович

Показаны записи 1-7 из 7.
04.10.2018
№218.016.8e55

Способ получения многослойной эпитаксиальной p-i-n структуры на основе соединений gaas-gaalas методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии получения многослойных полупроводниковых структур из соединений AB методом жидкофазной эпитаксии, а более конкретно к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур в системе GaAs-GaAlAs для силовой электронной техники. При выращивании структуры до...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002668661
Дата охранного документа: 02.10.2018
10.05.2018
№218.016.39be

Способ получения многослойной гетероэпитаксиальной p-i-n структуры в системе algaas методом жидкофазной эпитаксии

Использование: для изготовления полупроводниковых p-i-n структур на основе системы GaAs-GaAlAs методами жидкостной эпитаксии. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает выращивание в едином технологическом цикле многослойной полупроводниковой структуры GaAs-GaAlAs,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002647209
Дата охранного документа: 14.03.2018
29.12.2017
№217.015.feac

Способ получения полупроводниковых структур методом жидкофазной эпитаксии с высокой однородностью по толщине эпитаксиальных слоев

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам получения методом жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур. При реализации способа используют герметичную ростовую камеру с раствором-расплавом, в которой закрепляют попарно группу подложек. При этом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638575
Дата охранного документа: 14.12.2017
29.12.2017
№217.015.f6a6

Способ получения многослойных гетероэпитаксиальных структур в системе algaas методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к области микроэлектронной техники, а более конкретно к способам изготовления многослойных полупроводниковых структур в системе AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). Метод ЖФЭ применяют для изготовления оптоэлектронных приборов и приборов силовой электроники. При...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002639263
Дата охранного документа: 20.12.2017
25.08.2017
№217.015.9ce9

Способ единовременного получения p-i-n структуры gaas, имеющей p, i и n области в одном эпитаксиальном слое

Изобретение относится к области силовой микроэлектронной техники, а более конкретно к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур из соединений АВ методами жидкостной эпитаксии. В способе единовременного получения p-i-n структуры GaAs, имеющей р, i и n области в одном эпитаксиальном...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002610388
Дата охранного документа: 09.02.2017
10.05.2014
№216.012.c19f

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур

Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для получения многослойных полупроводниковых гетероструктур. Устройство содержит корпус 1 с крышкой 2, контейнер 3 с емкостями для исходных расплавов, снабженный поршнями 4, многосекционный держатель 14 подложек, камеру...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515316
Дата охранного документа: 10.05.2014
27.07.2013
№216.012.5afa

Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений gaas-gaalas методом жидкостной эпитаксии

Изобретение относится к области силовой микроэлектронной техники, а более конкретно, к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур из соединений AB методами жидкостной эпитаксии. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002488911
Дата охранного документа: 27.07.2013
+ добавить свой РИД