Правообладатель РИД: Кривцун Владимир Михайлович

Изобретение относится к высокояркостному источнику коротковолнового излучения на основе лазерной плазмы. Источник содержит вакуумную камеру (1) с вращающимся мишенным узлом (2), поставляющим в зону взаимодействия (3) со сфокусированным лазерным пучком (7) мишень (4) в виде слоя расплавленного...

Изобретение относится к области рентгенотехники, в частности к высокояркостным источникам рентгеновского излучения с жидкометаллической мишенью. Жидкометаллическая мишень (6) представляет собой слой расплавленного металла, образованный центробежной силой на обращенной к оси вращения (7)...

Изобретение направлено на усовершенствование высокояркостных источников излучения в диапазоне длин волн от 0,01 до 20 нм за счет глубокого подавления загрязняющих частиц на пути прохождения пучка коротковолнового излучения. Цель достигается за счет использования пучка энергии (11),...

Изобретение относится к области оптоэлектронного приборостроения и касается спектрально-селективного поглотителя ИК излучения и микроболометрического детектора. Поглотитель включает в себя плоскопараллельный резонатор с передним и задним зеркалами. Переднее зеркало выполнено в виде...

Изобретение относится к электротехнике, к компактным магнитогидродинамическим (МГД) насосам. Технический результат состоит в уменьшении габаритов, упрощении конструкции и эксплуатации, повышении надежности и ресурса, обеспечении чистых условий прокачки широкого ряда жидких металлов и сплавов...

Изобретение направлено на создание универсальной хирургической лазерной системы преимущественно для использования в оперативной урологии, в частности, при лечении доброкачественной гиперплазии предстательной железы и мочекаменной болезни. Задачи изобретения решаются тем, что задающий генератор...

Изобретение относится к лазерной технике. Лазерная система инфракрасного (ИК) диапазона включает в себя импульсный задающий генератор, снабженный сборками квазинепрерывных или QCW-лазерных диодов накачки, и усилитель мощности, снабжённый сборками непрерывных или CW-лазерных диодов накачки. В...

Изобретение относится к источнику излучения на основе лазерной плазмы. Область применений включает ЭУФ метрологию, инспекцию микро- и наноструктур, актиническую инспекцию литографических ЭУФ масок. Мишенью (4) является образуемый при воздействии центробежной силы слой расплавленного металла на...

Изобретение относится к области аналитического приборостроения и касается компактного широкодиапазонного спектрометра вакуумного ультрафиолетового (ВУФ) и мягкого рентгеновского (MP) диапазона. Спектрометр скользящего падения состоит из корпуса с входной щелью, дифракционной решетки и...

Изобретение относится к оптической технике. Широкополосный отражательный фильтр с отсечкой коротковолнового излучения содержит систему из четырех зеркал, выполненных с возможностью перемещения, изменяющего угол скольжения θ, под которым освещается каждое зеркало. Направление распространения и...