×

Правообладатель РИД: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ"

Показаны записи 1-10 из 14.
27.12.2015
№216.013.9d3a

Способ монтажа микроэлектронных компонентов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для поверхностного монтажа микроэлектронных компонентов в многокристальные модули, микросборки и модули с внутренним монтажом компонентов. Технический результат - уменьшение трудоемкости и повышение надежности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571880
Дата охранного документа: 27.12.2015
10.07.2015
№216.013.5d8f

Способ формирования образного изображения поверхности нанообъекта в сканирующем туннельном микроскопе

Изобретение относится к области формирования в цифровом виде образного изображения поверхности нанообъекта в сканирующем туннельном микроскопе. Под образным изображением нанообъекта понимается его топография, отличающаяся от истинной, но сохраняющая отличительные признаки. Способ формирования...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002555492
Дата охранного документа: 10.07.2015
20.03.2015
№216.013.33f9

Низковольтное кмоп токовое зеркало

Изобретение относится к области радиотехники и электроники, в частности к аналоговым микросхемам различного назначения, и может быть использовано в качестве функционального узла в операционных усилителях, компараторах и других блоках. Технический результат заключается в повышении выходного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002544780
Дата охранного документа: 20.03.2015
27.01.2015
№216.013.207f

Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур

Изобретение относится к изготовлению конструктивных элементов микромеханических приборов на кремниевых монокристаллических подложках. Изобретение обеспечивает снижение трудоемкости изготовления и повышение качества структур. Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539767
Дата охранного документа: 27.01.2015
27.11.2014
№216.013.0ba8

Лезвие офтальмохирургическое

Изобретение относится к офтальмологии и может быть использовано для проведения микрохирургических операций. Лезвие офтальмохирургическое содержит корпус с основанием из монокристаллического кремния и режущую кромку. Основание корпуса и режущая кромка порыты слоями нитрида кремния толщиной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534392
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.10.2013
№216.012.7aef

Чувствительный элемент микромеханического компенсационного акселерометра

Изобретение относится к измерительной технике и может применяться в микромеханических компенсационных акселерометрах. Чувствительный элемент содержит инерционную массу, упругие элементы, катушку обратной связи, проводящие дорожки для электрической связи катушек обратной связи со схемой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497133
Дата охранного документа: 27.10.2013
20.09.2013
№216.012.6d73

Способ блочной межкадровой компенсации движения для видеокодеков

Изобретение относится к области видеокодирования, в частности к оценке и компенсации движения в динамических изображениях. Техническим результатом способа является улучшение визуального качества восстановленного видеоряда. Указанный технический результат достигается тем, что каждый кадр...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002493670
Дата охранного документа: 20.09.2013
10.09.2013
№216.012.6913

Способ изготовления самосовмещенного высоковольтного интегрального транзистора

Использование: микроэлектроника, полупроводниковая электроника, самосовмещенный высоковольтный интегральный транзистор может быть использован в производстве интегральных микросхем. Сущность изобретения: у самосовмещенного, высоковольтного транзистора р-n переходы сформированы в объеме...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002492546
Дата охранного документа: 10.09.2013
10.09.2013
№216.012.6918

Самосовмещенный высоковольтный интегральный транзистор

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: самосовмещенный высоковольтный интегральный транзистор содержит коллекторную область, состоящую из сильно легированной области первого типа проводимости, расположенную над диэлектриком, сформированным в подложке, и слабо...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002492551
Дата охранного документа: 10.09.2013
10.09.2013
№216.012.6919

Высоковольтный самосовмещенный интегральный диод

Использование: микроэлектроника, полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: интегральный диод содержит область, состоящую из сильно легированной области первого типа проводимости, расположенную над диэлектриком, сформированным в подложке, и слабо легированную область того же типа...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002492552
Дата охранного документа: 10.09.2013
+ добавить свой РИД