Правообладатель РИД: Сахаров Юрий Владимирович

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве твердотельных газовых датчиков паров углеводородов. Сущность изобретения: в способе получения пористой пленки диоксида кремния нанометровой толщины пленка диоксида кремния...

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов и может использоваться для производства светодиодов. Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего прибора, выполненного на основе нитрида галлия, заключается в том, что на излучающую поверхность наносится...