×

Правообладатель РИД: Артамонов Антон Вячеславович

Показаны записи 1-6 из 6.
16.05.2023
№223.018.61ae

Деталь и сборочная единица соплового аппарата турбины высокого давления

Изобретение относится к области авиадвигателестроения, в частности к конструкции деталей и сборочных единиц (ДСЕ) соплового аппарата турбины высокого давления (СА ТВД) газотурбинного двигателя, преимущественно для высокоманевренных самолетов. Деталь сборочной единицы соплового аппарата турбины...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002746196
Дата охранного документа: 08.04.2021
14.03.2020
№220.018.0bed

Способ напыления защитных покрытий для интерметаллического сплава на основе гамма-алюминида титана

Изобретение относится к способам защиты легированных сплавов на основе титаналюминидов с преобладающей фазой γ-TiAl. Сплавы этого типа отличаются малой плотностью, высокой удельной прочностью и стойкостью к окислению и предназначены для изготовления конструкций, работающих при высоких...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002716570
Дата охранного документа: 12.03.2020
07.02.2019
№219.016.b7e3

Способ формирования диэлектрического слоя на поверхности кристалла inas

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, содержащих пассивную структуру диэлектрик - полупроводник, в том числе диодов и транзисторов, а также приемников излучения, чувствительных в спектральном диапазоне (1÷3,5) мкм, таких как фотодиоды и фототранзисторы на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002678944
Дата охранного документа: 04.02.2019
10.08.2015
№216.013.68c7

Способ изготовления слоев р-типа проводимости на кристаллах ingaas

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InGaAs n-типа проводимости, фототранзисторов, фоторезисторов на основе кристаллов p-типа проводимости. В...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558376
Дата охранного документа: 10.08.2015
10.02.2015
№216.013.25d4

Способ изготовления слоев р-типа проводимости на кристаллах inas

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InAs n-типа проводимости, фототранзисторов, фоторезисторов на основе кристаллов p-типа проводимости. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002541137
Дата охранного документа: 10.02.2015
20.06.2013
№216.012.4e4f

Способ изготовления слоев p-типа проводимости на кристаллах insb

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InSb n-типа проводимости (изготовление p-n-переходов), фототранзисторов (изготовление базовых областей на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485629
Дата охранного документа: 20.06.2013
+ добавить свой РИД