Правообладатель РИД: Малевская Александра Вячеславовна

Солнечный фотоэлектрический модуль включает, по меньшей мере, два субмодуля (1), каждый субмодуль (1) содержит зеркальный параболический концентратор (5) солнечного излучения и солнечный элемент (6), расположенный в фокусе зеркального параболического концентратора (5). Зеркальный параболический...

Способ изготовления фотоэлектрического концентраторного модуля включает формирование множества солнечных элементов, формирование вторичных концентраторов солнечного излучения, расположенных соосно над солнечными элементами, формирование панели первичных концентраторов, расположенных соосно над...

Изобретение относится к электронной технике, в частности к полупроводниковым приборам. Инфракрасный светодиод включает световыводящий слой (1), активную область (3), выполненную на основе нескольких квантовых ям InGaAs, окруженную барьерными широкозонными слоями (2, 4), брегговский отражатель...

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности, к фотоэлектрическим преобразователям, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Фотоэлектрический преобразователь включает подложку, фоточувствительную АВ гетероструктуру...

Изобретение относится к электронной технике, в частности к полупроводниковым приборам, и может быть использовано при разработке и изготовлении светоизлучающих диодов и различных устройств на их основе. Гетероструктурный инфракрасный светоизлучающий диод включает подложку-носитель с...

Изобретение относится к солнечной фотоэнергетике, к мониторингу солнечных электростанций. Устройство мониторинга солнечной электростанции включает блок измерения параметров и отбора максимальной мощности солнечной батареи, блок коммутации, блок электронной нагрузки, блок управления, блок...

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу изготовления фотопреобразователей, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую энергию. Способ изготовления фотопреобразователя включает формирование меза-структуры...

Способ изготовления омических контактов фотоэлектрического преобразователя включает напыление на гетероструктуру AB основы фронтального омического контакта через первую фоторезистивную маску с рисунком фронтального омического контакта и основы тыльного омического контакта, термообработку...

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя включает последовательное формирование фоточувствительной полупроводниковой гетероструктуры АВ с пассивирующим слоем и контактным слоем GaAs, удаление контактного слоя над...

Изобретение может быть использовано для создания СВЧ-фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlGaAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм. Способ заключается в создании фоточувствительной области и контактной площадки для бондинга вне фоточувствительной области на...