Правообладатель РИД: Снегирев Владислав Петрович

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления мощных транзисторов СВЧ, включающем формирование на лицевой стороне полупроводниковой подложки топологии транзисторов посредством методов электронной и фотолитографии, напыления металлов, нанесения и...

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Сущность изобретения: способ изготовления транзистора СВЧ с управляющим электродом Т-образной конфигурации субмикронной длины включает формирование на лицевой стороне полуизолирующей полупроводниковой пластины с активным слоем заданной структуры...

Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления мощных транзисторов СВЧ и МИС на их основе. Сущность изобретения: способ изготовления мощных транзисторов СВЧ, заключающийся в формировании на лицевой стороне полупроводниковой пластины топологии транзисторов,...

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощного транзистора СВЧ включает формирование на лицевой стороне полупроводниковой подложки топологии, по меньшей мере, одного кристалла транзистора, формирование электродов транзистора, формирование, по меньшей мере, одного...