Правообладатель РИД: Шпаков Дмитрий Сергеевич

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления мощных транзисторов СВЧ, включающем формирование на лицевой стороне полупроводниковой подложки топологии транзисторов посредством методов электронной и фотолитографии, напыления металлов, нанесения и...

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощного транзистора СВЧ включает формирование на лицевой стороне полупроводниковой подложки топологии, по меньшей мере, одного кристалла транзистора, формирование электродов транзистора, формирование, по меньшей мере, одного...