Правообладатель РИД: Пронин Игорь Александрович

Изобретение относится к области биотехнологии, экологической и промышленной токсикологии. Предложен способ определения цитотоксичности наноматериалов на основе оксида цинка. Наноматериал приготавливают в виде двухслойной наноструктуры, в которой верхний слой модифицирован атомами Fe. Полученная...

Изобретение относится к медицине и может быть использовано для определения глубины залегания липидных ядер, являющихся центром атеросклеротических бляшек. Изобретение представляет способ определения глубины залегания липидных ядер атеросклеротических бляшек методом ИК-Фурье спектроскопии,...

Изобретение относится к измерительной технике. Способ изготовления датчика вакуума с трехмерной пористой наноструктурой заключается в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе...

Изобретение относится к измерительной технике и может использоваться при изготовлении датчиков вакуума для измерения давления разреженного газа в вакуумных установках различного назначения. Предложен способ изготовления наноструктурированного чувствительного элемента датчика вакуума,...

Изобретение относится к изготовлению газовых сенсоров, предназначенных для детектирования различных газов. Предложен способ изготовления газового сенсора, в котором образуют гетероструктуру из различных материалов, в ней формируют газочувствительный слой, после чего ее закрепляют в корпусе...

Изобретение относится к измерительной технике. Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности заключается в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в...

Изобретение относится к датчикам вакуума для измерения давления разреженного газа в вакуумных установках различного назначения. Предложен способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой, заключающийся в том, что тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой...