Правообладатель РИД: НЭШНЛ ИНСТИТЬЮТ ОФ ЭДВАНСТ ИНДАСТРИАЛ САЙЕНС ЭНД ТЕКНОЛОДЖИ (JP)

Изобретение относится к химической промышленности. Взрывчатое вещество со скоростью детонации 6300 м/с или более размещают на периферии исходного вещества, содержащего ароматическое соединение с не более чем двумя нитрогруппами, например, динитротолуола, динитробензола или динитроксилола....

Изобретение относится к волокну-предшественнику для углеродных волокон, к углеродному волокну и к способу его получения. Волокно-предшественник углеродного волокна содержит полимер общей формулы (1): где Ar представляет собой арильную группу, выраженную любой из структурных формул (1)-(5), и...

Группа изобретений относится к медицинской технике, а именно к устройству и способу для измерения с высокой воспроизводимостью порога ощущения в момент простого прикладывания к подошве стопы подвижного раздражителя и оценки периферической нейропатии, возникшей в результате диабета....

Изобретение относится к вариантам способа формования гранулы газового гидрата в формующей газовый гидрат установке, включающей в себя генератор, в который подают исходный газообразный материал и воду, и выполненной с возможностью обеспечения реакции исходного газообразного материала с водой при...

Изобретение относится к области биотехнологии. Описана модифицированная липидами двухцепочечная РНК, включающая антисмысловую нить, нуклеотидная последовательность которой комплементарна целевой последовательности в целевом гене, и смысловую нить, нуклеотидная последовательность которой...

Изобретение относится к области молекулярной биологии, генетики и медицины. Предложена модифицированная липидом двухцепочечная РНК, содержащая антисмысловую цепь, имеющую нуклеотидную последовательность, комплементарную целевой последовательности, и смысловую цепь, имеющую нуклеотидную...

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического нитрида алюминия, который входит в состав светоизлучающих диодов и лазерных элементов. Устройство включает тигель 9, во внутренней части которого находится исходный нитрид алюминия 11 и затравочный кристалл 12, помещенный таким...