Правообладатель РИД: Плюснин Николай Иннокентьевич

Предложенное изобретение относится к технике получения дисперсных частиц на основе различных материалов, которые могут быть использованы для изготовления различных функциональных изделий и приборов. Способ получения дисперсной частицы из оболочки и ядра предполагает формирование в граничащих...

Изобретение относится к получению метаматериалов из структурных элементов на основе полупроводников, диэлектриков и металлов и может быть использовано в машиностроении и электронике в качестве материалов с улучшенными свойствами. Способ включает формирование дисперсных композиционных частиц,...

Способ получения слоистого наноматериала, включающий формирование слоев различного состава, отличается тем, что в пределах толщины граничащих друг с другом областей слоев, равной трем монослоям, формируют иную конфигурацию и/или плотность химических связей атомов, чем в соответствующих по...

Способ получения слоистого наноматериала, включающий формирование слоев различного состава, отличается тем, что, по крайней мере, одну из граничащих друг с другом областей соседних слоев, в пределах ее толщины, по меньшей мере, равной трем монослоям, формируют из неоднородных по структуре...

Изобретение относится к способам получения ультратонких пленок и может быть использовано для производства новых твердотельных приборов на основе пленочных наноматериалов и наноструктур на полупроводниковой или иной подложке. Способ включает осаждение паров адсорбата на подложку в вакууме и...

Изобретение относится к способам формирования ультратонких пленок. Способ включает осаждение паров адсорбата на подложку в вакууме и наращивание пленки из монослоев. При этом осаждение осуществляют при минимально возможной кинетической энергии атомов адсорбата, а также при тепловой мощности...

Изобретение относится к способам формирования ультратонких пленок. Способ включает осаждение паров адсорбата на подложку в вакууме и наращивание пленки из монослоев. При этом осаждение паров адсорбата на подложку осуществляют при минимально возможной кинетической энергии их атомов, а также при...