Правообладатель РИД: ОптоГан Ой (FI)

Изобретение относится к реакторной установке для эпитаксиального выращивания гидридов в паровой фазе. Реакторная установка содержит реакционную камеру с входным отверстием для введения технологических газов в реакционную камеру и выходным отверстием для остаточных газов и насос для откачивания...