Правообладатель РИД: Рамазанов Шихгасан Муфтялиевич

Изобретение относится к тонкопленочной технологии получения мультиферроиков, а именно к получению наноразмерных пленок феррита висмута, которые обладают свойствами мультиферроика при комнатной температуре, и может быть использовано в производстве устройств записи, хранения и обработки...

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а более конкретно, к технологии получения эпитаксиальных пленок нитрида алюминия, и может быть применено в области акусто- и оптоэлектроники. Способ заключается в формировании слоя AlN методом молекулярного наслаивания на сапфировой...

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. Изобретение позволяет упростить технологию получения применением одной поликристаллической мишени, улучшить качество пленок за счет высокой адгезии....

Изобретение относится к технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов. Эпитаксиальные пленки твердого раствора (SiC)(AlN), где компонента х больше нуля, но меньше единицы, получают путем осаждения твердого раствора на монокристаллическую подложку SiC-6H при температуре...