Правообладатель РИД: Манкевич Алексей Сергеевич

Изобретение относится к технологии производства высокотемпературных сверхпроводящих лент (далее - ВТСП лент) второго поколения, а именно к диагностике качества ВТСП лент и поиску дефектных транспортирующих и измерительных роликов в процессе их производства путем анализа измеряемых...

Изобретение относится к технологии получения высокотемпературных сверхпроводников на основе смешанных оксидов редкоземельных элементов, бария и меди и может быть использовано при изготовлении высокотемпературных сверхпроводящих проводов второго поколения для использования в устройствах,...

Изобретение относится к способу изготовления высокотемпературной сверхпроводящей ленты. Осуществляют осаждение буферных слоев на подложку в следующей последовательности: слой оксида алюминия, слой оксида иттрия, слой оксида магния, слой гомоэпитаксиального оксида магния и слой манганита...

Использование: для высокоточного определения толщины сверхпроводящего слоя на ВТСП проводах второго поколения. Сущность изобретения заключается в том, что способ гравиметрического определения толщины сверхпроводящего слоя ВТСП проводов второго поколения включает следующие стадии: (А)...

Изобретение относится к технологии изготовления тонкопленочных высокотемпературных сверхпроводящих материалов и может быть использовано при промышленном производстве длинномерных сверхпроводящих лент для создания токопроводящих кабелей, токоограничителей, обмоток мощных электромагнитов,...