×

Правообладатель РИД: ЛИ Дзоон-Хван (KR)

Показаны записи 1-4 из 4.
10.07.2019
№219.017.ae17

Защитное устройство для предотвращения избыточного заряда вторичных батарей и вторичные батареи с таким устройством

Защитное устройство содержит физически контактирующие друг с другом параллельно соединенные элемент постоянного напряжения, имеющий характеристику разряда/теплорассеяния в состоянии перенапряжения, и элемент с переходом металл-диэлектрик (ПМД-элемент), имеющий характеристику разряда в состоянии...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002332755
Дата охранного документа: 27.08.2008
18.05.2019
№219.017.58ad

Элемент безопасности для батареи и батарея с таким элементом

Изобретение относится к элементу безопасности для батареи и к батарее с таким элементом безопасности. Согласно изобретению, элемент безопасности для батареи снабжен материалом, имеющим характеристику перехода металл-изолятор (ПМИ), когда сопротивление резко падает при определенной температуре...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002323507
Дата охранного документа: 27.04.2008
10.04.2019
№219.017.05d1

Устройство безопасности для батареи и батарея, имеющая такое устройство

Изобретение относится к устройству безопасности для батареи, предназначенному для образования электрической цепи и преобразования заряженного состояния батареи в разряженное состояние при сжатии под действием заданного или более высокого давления. Техническим результатом изобретения является...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002325006
Дата охранного документа: 20.05.2008
10.05.2013
№216.012.3d8e

Способ селективной кристаллизации z-изомера иопромида

Предложен способ селективной кристаллизации Z-изомера иодсодержащего рентгеноконтрастного средства - иопромида формулы (1), включающий а) растворение неочищенного иопромида или концентрата иопромида, содержащих Е- и Z-формы изомеров в спирте; и b) нагревание полученного спиртового раствора при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002481325
Дата охранного документа: 10.05.2013
+ добавить свой РИД