Правообладатель РИД: ЙООН Сей Сеунг (US)

Изобретение относится к оперативной памяти. Техническим результатом является управление уровнем сигнала транзистора WL для операций считывания и записи. Раскрыты системы, схемы и способы управления напряжением словарной шины в транзисторе словарной шины в магниторезистивной оперативной памяти с...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в улучшении стабильности записи и уменьшении размеров ячейки битов в STT-MRAM. Магниторезистивное оперативное запоминающее устройство с переносом спинового момента (STT-MRAM), имеющее линии истока, причем каждая...

Изобретение относится к области регулирования параметров схемы памяти на основе сопротивления. Техническим результатом является повышение эффективности улучшения границ усилителя считывания. Способ определения набора параметров схемы памяти на основе сопротивления включает в себя выбор первого...

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в снижении потребляемой мощности. Полупроводниковое устройство памяти с двойным напряжением, содержащее множество формирователей записи, принимающих входные сигналы данных низкого напряжения; множество разрядных...