Правообладатель РИД: Патров Михаил Иванович

Изобретение относится к способу формирования систем магнитного управления формой и током плазмы с обратной связью в токамаках и может быть применено для стабилизации положения сепаратрисы плазмы при отражении действия возмущений типа малого срыва в токамаках. При формировании обратной связи...

Способ предназначен для лазерной гравировки металла или сплава. Осуществляют предварительное построение градуировочной кривой зависимости глубины гравировки поверхности образца заданного металла или его сплава от параметров падающего на поверхность лазерного излучения при монотонном возрастании...

Способ предназначен для лазерной резки металла или сплава. Предварительно строят градуировочную кривую зависимости глубины реза образца заданного металла или его сплава от параметров падающего на поверхность лазерного излучения при монотонном возрастании удельной мощности лазерного излучения от...

Изобретение относится к способу лазерной маркировки поверхности металла или его сплава и может найти применение в машиностроении, ювелирной промышленности и медицине. Способ включает предварительное построение градуировочной кривой зависимости глубины маркировки поверхности образца заданного...

Изобретение относится к способам изменения цвета металлической поверхности воздействием лазерного излучения, а также нанесения на поверхность изделий из металлов и сплавов алфавитно-цифровой и графической информации и может найти применение в различных отраслях промышленности, в том числе в...

Изобретение относится к способу лазерной резки металла или сплава и может найти применение в различных отраслях машиностроения, ювелирной и медицинской промышленности. Осуществляют построение градуировочной кривой зависимости доли металла или сплава, распыленного лазерным излучением с...

Изобретение относится к способу лазерной гравировки металла или сплава и может найти применение в различных отраслях машиностроения, а также в ювелирной и медицинской отрасли. Предварительно определяют уровень мощности лазерного излучения, достаточного для структурного изменения облученных...