Правообладатель РИД: Конов Виталий Иванович

Изобретение относится к способу лазерной полировки алмазной поверхности и устройству для его осуществления. Фокусирование лазерного пучка на алмазной поверхности выполняют под углом 80-90° от вертикали, опущенной на обрабатываемую поверхность. Сканируют алмазную поверхность по меньшей мере...

Изобретение относится к СВЧ плазменному реактору для осаждения алмазной пленки на подложку из твердого сплава, выполненному с возможностью регулирования температуры косвенного нагрева подложки. СВЧ плазменный реактор содержит герметичную осесимметричную камеру, центральная часть которой...

Изобретение относится к получению сверхтвердого материала, который содержит CVD-алмаз и который может быть использован при изготовлении инструмента для правки шлифовальных кругов, режущего, бурового инструмента и др. Поверхность CVD-алмаза частично или полностью в условиях высокого давления и...

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении таких приборов как, например, гетеропереходные полевые транзисторы (НЕМТ), биполярные транзисторы (BJT), гетеробиполярные транзисторы (НВТ), p-i-n диоды, диоды с барьером Шотки и многие другие....

Изобретение относится к металлообработке, в частности к СВЧ плазменному реактору, и может найти применение в машиностроении и металлургии при изготовлении изделий с покрытиями, полученными способом плазменного парофазного химического осаждения пленок. СВЧ плазменный реактор содержит...

Изобретение относится к СВЧ плазменному реактору с объемно-резонаторной передачей энергии в область над подложкой, ограниченной формой плазменного образования в виде полуэллипса, создающей косвенный нагрев при осаждении покрытия на низкоаспектной подложке или одновременно на группе подложек....

Изобретение относится к области механической обработки алмазов, в частности ультразвуковой обработки, и может быть использовано при шлифовании алмазных пленок, имеющих внешний слой из поликристаллических алмазов на поверхности основания. Производят удаление кристаллитов упомянутого внешнего...

Изобретение относится к способам получения монолитных соединений стержней из поликристаллических алмазов, предназначенных для использования в производстве приборов электроники, оптики, СВЧ-техники, в частности для изготовления диэлектрических опор в лампах бегущей волны (ЛБВ), использующих...

Изобретение относится к полупроводниковым детекторам ионизирующих излучений, в частности к алмазным детекторам, способным работать в условиях повышенных температур, пониженных давлений, в агрессивных средах. Алмазный детектор ионизирующих излучений состоит из алмазной подложки, активного...

Изобретение относится к полупроводниковым детекторам для регистрации корпускулярных излучений, в частности к алмазным детекторам тепловых нейтронов. Алмазный детектор тепловых нейтронов состоит из алмазной пластины, двух контактных электродов, конвертора тепловых нейтронов и внешних выводов для...