Правообладатель РИД: Сауров Александр Николаевич

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления биполярных транзисторов. Сущность изобретения: в способе изготовления биполярного транзистора формируют дополнительный локальный экранирующий слой на месте будущего контакта к пассивной области базы,...

Изобретение относится к технологии производства интегральных схем на подложках типа - кремний на изоляторе (КНИ) и может быть использовано для создания транзисторых структур с предельно минимальными размерами для УБИС. Сущность изобретения: в способе изготовления самосовмещенного двухзатворного...

Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования воздействий радиационного излучения, преимущественно нейтронного, в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить уровень радиации или набранную дозу облучения. P-I-N-диодный преобразователь нейтронного...

Изобретение относится к технологии микро- и наноэлектроники и может быть использовано в производстве гибридных микросистем анализа слабого магнитного поля. Сущность изобретения: способ изготовления микросистемы контроля трех компонент вектора магнитной индукции включает формирование на...

Изобретение относится к микроэлектронике и может найти применение при создании радиационно стойких элементов КМОП-схем на КНИ подложке. Сущность изобретения: способ увеличения радиационной стойкости элементов КМОП-схем на КНИ подложке включает создание на КНИ подложке рабочих и изолирующих...

Использование: микроэлектроника, технология изготовления интегральных микросхем (ИМС). Сущность изобретения: в способе самосовмещенного формирования изоляции элементов ИМС и поликремниевых контактов к подложке и n+ - скрытому слою на полупроводниковой подложке со сплошным скрытым и...

Изобретение может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока. Датчик содержит подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую...

Использование: для обнаружения взрывчатого вещества в контролируемом предмете. Сущность: заключается в том, что облучают контролируемый предмет электромагнитным излучением, вызывающим ядерный квадрупольный резонанс атомов, по меньшей мере, одного химического элемента, входящего в состав...

Использование: микроэлектроника, технология изготовления самосовмещенных БиКМОП структур в составе ИМС. Сущность изобретения: в способе изготовления самосовмещенного БиКМОП прибора окна под все области биполярных и МОП транзисторов, а также изолирующих областей вскрывают одновременно в третьем,...

Изобретение относится к измерительной технике. Технический результат изобретения: уменьшение погрешностей преобразователя давления (ПД), таких как температурный дрейф, температурный гистерезис выходного сигнала тестовой схемы, и повышение точностных и надежностных характеристик ПД. Сущность:...