Правообладатель РИД: Сауров Александр Николаевич

Использование: для сборки электронных компонентов в электронный модуль. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления трехмерного электронного модуля включает следующие этапы: создают функциональные блоки, осуществляя монтаж электронных компонентов на технологические подложки...

Изобретение может быть использовано в микроэлектронике при производстве интегральных микросхем. Для получения слоя диоксида кремния загружают кассеты с кремниевыми подложками через открытую вакуумную заслонку в камеру осаждения реактора, закрывают вакуумную заслонку, проводят откачку реактора...

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления самомасштабируемой самосовмещенной транзисторной структуры включает формирование на подложке первого типа проводимости первого диэлектрического слоя, сплошного введения примеси второго типа проводимости с...

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: интегральный градиентный магнитотранзисторный датчик содержит два чувствительных элемента, два усилителя, выполненные в виде двух токовых зеркал на МОП транзисторах и схему сравнения с двумя входами. Чувствительные...

Изобретение относится к технологии формирования наноэлектронных структур. Сущность изобретения: в способе получения нанослоев на сформированном на подложке первом жертвенном слое формируют второй жертвенный слой, наносят фоторезист, формируют в фоторезисте окно, травят второй и первый...

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления самосовмещенных транзисторных структур включает формирование в полупроводниковой подложке первого типа проводимости сплошного скрытого слоя второго типа проводимости, формирование на полупроводниковой подложке...

Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока. Техническим результатом изобретения является получение...

Изобретение может быть использовано для измерения постоянного и переменного магнитного поля. В способе согласно изобретению после нанесения защитного слоя на первую магниторезистивную наноструктуру производится травление защитного слоя и первой магниторезистивной наноструктуры на той части...

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии осаждения полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев при пониженном давлении. Устройство для получения слоев из газовой фазы при пониженном давлении включает камеру осаждения, состоящую из внутреннего реактора в виде...

Использование: микроэлектроника, технология изготовления МОП и биполярных транзисторов в составе ИМС. Сущность изобретения: в способе изготовления КМОП транзисторов с приподнятыми электродами после вскрытия окон под сток-истоковые области и формирования разделительного диэлектрика на стенках...