Правообладатель РИД: Касаткин Сергей Иванович

Изобретение относится к элементам магнитной стрейнтроники и может быть использовано в преобразователях механических деформаций (напряжений, давлений), акустических преобразователях на основе многослойных тонкоплёночных магнитострикционных наноструктур с анизотропным магниторезистивным эффектом....

Изобретение может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока, биодатчиках. Магниторезистивный преобразователь-градиометр содержит подложку с диэлектрическим...

Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока. Техническим результатом изобретения является получение...

Изобретение может быть использовано для измерения магнитного поля в измерительных комплексах, научном и медицинском приборостроении, устройствах диагностики печатных плат и микросхем, биообъектов (бактерий, вирусов, токсинов и ДНК). Магниторезистивный датчик содержит подложку с диэлектрическим...

Изобретение может быть использовано для измерения постоянного и переменного магнитного поля. В способе согласно изобретению после нанесения защитного слоя на первую магниторезистивную наноструктуру производится травление защитного слоя и первой магниторезистивной наноструктуры на той части...

Изобретение относится к технологии микро- и наноэлектроники и может быть использовано в производстве гибридных микросистем анализа слабого магнитного поля. Сущность изобретения: способ изготовления микросистемы контроля трех компонент вектора магнитной индукции включает формирование на...

Изобретение может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока. Датчик содержит подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую...

Изобретение относится к области магнитных датчиков и может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока. Магниторезистивный датчик содержит подложку с...

Изобретение относится к области магнитных наноэлементов на основе многослойных металлических наноструктур с магниторезистивным эффектом. Техническим результатом является создание магниторезистивной головки-градиометра на основе металлической ферромагнитной наноструктуры с планарным протеканием...

Изобретение может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным эффектом. В магниторезистивном пороговом наноэлементе, содержащем подложку с расположенным на ней первым...