×

Правообладатель РИД: Карпов Владимир Владимирович

Показаны записи 1-10 из 18.
14.05.2023
№223.018.553e

Способ изготовления индивидуализированного артикуляционного 3d эндопротез-спейсера коленного сустава

Изобретение относится к медицине. Способ изготовления индивидуализированного артикуляционного 3-D эндопротез-спейсера коленного сустава заключается в том, что в КТ изображении формата DICOM выделяют фрагмент изображения, соответствующий конечности с ранее установленным эндопротезом, проводят...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002736119
Дата охранного документа: 11.11.2020
27.03.2020
№220.018.10c0

Прицельный комплекс круглосуточного и всепогодного действия

Предложенное изобретение относится к технике оптико-электронных приборов наблюдения и прицеливания. Задачей, решаемой предлагаемым изобретением, является обеспечение круглосуточной и всепогодной работы. Указанный технический результат достигается за счет того, что прицельный комплекс содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717744
Дата охранного документа: 25.03.2020
29.06.2019
№219.017.9ecb

Фотодиод на антимониде индия

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к инфракрасному излучению, и может быть использовано при производстве одноэлементных, линейных и матричных приемников излучения с фоточувствительными элементами - фотодиодами на антимониде индия (InSb). Фотодиод на антимониде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002324259
Дата охранного документа: 10.05.2008
29.06.2019
№219.017.9cd9

Способ изготовления фотодиодов на антимониде индия

Изобретение может быть использовано при изготовлении линейных и матричных приемников излучения. Способ изготовления фотодиодов на антимониде индия включает формирование локального p-n перехода на подложке, анодное окисление для формирования защитной диэлектрической пленки, нанесение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002313853
Дата охранного документа: 27.12.2007
19.04.2019
№219.017.2ea9

Способ изготовления фотодиода на антимониде индия

Изобретение относится к технологии изготовления чувствительных к инфракрасному излучению одно- и многоэлементных фотодиодов на антимониде индия. Указанный технический результат достигается тем, что в способе изготовления фотодиода на антимониде индия, включающем последовательное формирование...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002313854
Дата охранного документа: 27.12.2007
10.04.2019
№219.017.09fb

Планарный фотодиод на антимониде индия

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к инфракрасному излучению, и может быть использовано при производстве охлаждаемых одноэлементных, линейных и матричных приемников излучения с фоточувствительными элементами - планарными фотодиодами на антимониде индия (InSb). В...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002461914
Дата охранного документа: 20.09.2012
10.04.2019
№219.017.0445

Приемник излучения

Изобретение может быть использовано в гироскопах, акселерометрах и других приборах, имеющих системы пространственной ориентации. Приемник излучения содержит выполненный из керамического материала корпус с герметично присоединенным к нему входным окном. Внутри корпуса на металлизированном дне...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002371810
Дата охранного документа: 27.10.2009
07.02.2019
№219.016.b7e3

Способ формирования диэлектрического слоя на поверхности кристалла inas

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, содержащих пассивную структуру диэлектрик - полупроводник, в том числе диодов и транзисторов, а также приемников излучения, чувствительных в спектральном диапазоне (1÷3,5) мкм, таких как фотодиоды и фототранзисторы на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002678944
Дата охранного документа: 04.02.2019
20.11.2015
№216.013.8f40

Малогабаритный передатчик повышенной энергетической скрытности

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано для организации работы скрытого радиоканала. Технический результат заключается в повышении энергетической скрытности. Малогабаритный передатчик повышенной энергетической скрытности состоит из тактового генератора (1),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568288
Дата охранного документа: 20.11.2015
10.08.2015
№216.013.68c7

Способ изготовления слоев р-типа проводимости на кристаллах ingaas

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InGaAs n-типа проводимости, фототранзисторов, фоторезисторов на основе кристаллов p-типа проводимости. В...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558376
Дата охранного документа: 10.08.2015
+ добавить свой РИД