Правообладатель РИД: Рязанцев Борис Георгиевич

Изобретение относится к области силовых полупроводниковых приборов, изготавливаемых на эпитаксиальном кремнии. В силовых полупроводниковых приборах с повышенной устойчивостью к ионизирующему излучению, изготавливаемых на эпитаксиальном кремнии с вертикальным перемещением носителей тока и...

Настоящее изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано, в частности, для создания источников питания с увеличенной выходной мощностью, малыми потерями и улучшенными параметрами электромагнитной совместимости. Технический результат достигается тем, что...

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к силовым БТИЗ и ДМОП транзисторам. В способе изготовления полупроводникового прибора на полупроводниковой подложке первого типа проводимости создают подзатворный диэлектрик, затворный...