Правообладатель РИД: Александров Петр Анатольевич

Изобретение относится к способам косвенного измерения отказоустойчивости облучаемых цифровых испытательных микросхем, построенных различными способами постоянного поэлементного резервирования, и к испытательным микросхемам для реализации этих способов измерения. Технический результат - создание...

Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам резервирования полупроводниковых объектов, работающих под действием ионизирующего излучения. В предлагаемом способе активный объект работает при нормальной для него температуре, а идентичный ему резервный объект выключен....

Изобретение относится к области контроля за эксплуатацией технологического или иного оборудования, установленных в помещениях с притоком воздуха, например на АЭС, и направлено на повышение надежности и информативности измерений, что обеспечивается за счет того, что устройство для детектирования...

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе получения сверхтонких пленок кремния на сапфире в объектах, содержащих сапфировую подложку и исходный слой кремния, толщина которого значительно больше толщины получаемых тонких пленок кремния, производят аморфизацию...

Изобретение относится к способам поэлементного дублирования в нано- и микроцифровых транзисторных микросхемах, подвергающихся воздействию радиации. Технический результат: существенное повышение отказоустойчивости микросхем по сравнению со способом дублирования без использования четырехкратного...

Изобретение относится к лазерной технике. Для создания лазерного излучения используют газоразрядную камеру, установленную на ее выходе ионно-оптическую систему для формирования ускоренного пучка ионов, лазерный резонатор, в котором устанавливают узел перезарядки, представляющий проводящее...

Изобретение относится к твердотельной электронике. Структура полупроводник-на-изоляторе содержит изолятор, расположенный на нем поверхностный слой полупроводника и сформированный в изоляторе имплантацией ионов легкого газа и последующего высокотемпературного отжига дефектный термостабильный...

Изобретение относится к твердотельной электронике. Изобретение заключается в том, что на изоляторе формируют поверхностный слой полупроводника. В изоляторе на расстоянии от поверхностного слоя полупроводника, меньшем длины диффузии носителей заряда, возникающих при облучении внешним...

Использование: для контроля процесса трещинообразования хрупких тензоиндикаторов при изменении уровня нагруженности в исследуемых зонах конструкции. Сущность изобретения заключается в том, что выполняют акустико-эмиссионные измерения сигналов образования трещин в хрупком тензопокрытии с...

Использование: для исследования деформации и напряжений в хрупких тензоиндикаторах. Сущность: что проводят акустико-эмиссионнные измерения сигналов образования трещин в хрупком тензопокрытии, при этом дополнительно измеряют концентрацию аэрозолей в приповерхностном слое хрупкого тензопокрытия,...