×

Правообладатель РИД: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова"

Показаны записи 1-5 из 5.
20.08.2014
№216.012.ec0f

Способ получения положительного электрода литий-ионного аккумулятора и литий-ионный аккумулятор

Заявленное изобретение относится к области электротехники, а именно, к способу получения материала для положительного электрода литий-ионного аккумулятора и к самому аккумулятору. Согласно изобретению на этапе реализации способа на проводящей подложке методом магнетронного распыления...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526239
Дата охранного документа: 20.08.2014
20.07.2014
№216.012.ddbb

Способ получения 7-r-пиридо[1,2-а]бензимидазолов

Настоящее изобретение относится к способу получения 7-R-пиридо[1,2-а]бензимидазолов общей формулы , где R=a) CF, б) CN, в) СООН, г) C(O)NH, д) СООСН, е) СООСН, заключающемуся в том, что восстановление хлоридов N-(2-нитро-4-R-фенил)пиридиния проводят в смеси спирта и 4%-ной соляной кислоты,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522549
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.05.2014
№216.012.c73c

Способ расширения полосы частот оценки спектров сигналов

Изобретение относится к радиотехнике. Техническим результатом является расширение полосы анализа сигналов и возможность проведения анализа в режиме реального времени. Сущность способа заключается в том, что используют обработку исходного сигнала параллельно на нескольких аналого-цифровых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002516763
Дата охранного документа: 20.05.2014
10.11.2013
№216.012.8006

Способ изготовления мдп нанотранзистора с локальным участком захороненного изолятора

Использование: в электронной технике, при производстве интегральных схем различного назначения. Технический результат изобретения - технологический процесс, позволяющий создавать МДП-нанотранзисторы без использования литографии высокого разрешения с максимальным подавлением короткоканальных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002498447
Дата охранного документа: 10.11.2013
27.01.2013
№216.012.213e

Способ изготовления тонкопленочного анода литий-ионных аккумуляторов на основе пленок наноструктурированного кремния, покрытого двуокисью кремния

Настоящее изобретение относится к области тонкопленочных технологий, а именно к способу изготовления тонкопленочного анода на основе пленок наноструктурированного кремния, покрытого двуокисью кремния, преимущественно, для использования в литий-ионных аккумуляторах, работающих при большой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474011
Дата охранного документа: 27.01.2013
+ добавить свой РИД