×

Правообладатель РИД: Дорофеев Алексей Анатольевич

Показаны записи 1-5 из 5.
10.02.2016
№216.014.c1cc

Коммутирующее устройство свч

Изобретение относится к технике СВЧ. Технический результат - повышение надежности и скорости переключения, увеличение уровня выходной мощности и уровня радиационной стойкости. Для этого коммутирующее устройство СВЧ содержит электроды и емкостной элемент, представляющий собой конденсатор, при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574811
Дата охранного документа: 10.02.2016
27.01.2015
№216.013.2072

Модулированно-легированный полевой транзистор

Изобретение относится к электронной технике. Модулированно-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты. Пьедестал изготовлен из теплопроводящего слоя поликристаллического алмаза. Поверх...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539754
Дата охранного документа: 27.01.2015
27.11.2014
№216.013.0bd5

Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534437
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bdf

Псевдоморфный гетеростуктурный модулировано-легированный полевой транзистор

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534447
Дата охранного документа: 27.11.2014
20.02.2014
№216.012.a3bf

Полупроводниковый прибор и способ его изготовления

Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Полупроводниковый прибор включает утоненную подложку из монокристаллического кремния р-типа проводимости, ориентированного по плоскости (111), с выполненным на ней буферным слоем из AlN, поверх которого выполнена теплопроводящая...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507634
Дата охранного документа: 20.02.2014
+ добавить свой РИД