Правообладатель РИД: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский Государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)"

Изобретение относится к способу определения температуры активной области полупроводниковых светоизлучающих диодов (СИД), который может быть использован для контроля качества СИД на всех этапах производства. В предложенном способе определения температуры активной области СИД при температурной...